當(dāng)前位置：首頁(yè) > 技術(shù)文章
在半導(dǎo)體制造中，晶圓表面缺陷與焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè)是保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。前者聚焦于納米級(jí)表面完整性，后者則關(guān)乎封裝結(jié)構(gòu)的電學(xué)與機(jī)械穩(wěn)定性。兩者通過(guò)光學(xué)、聲學(xué)及人工智能技術(shù)的深度融合，構(gòu)建起從晶圓制造到封裝測(cè)試的全流程質(zhì)量防線。一、晶圓表...
Thetametrisis膜厚儀是一款快速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案，要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米，如微圖案表面，粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺(tái)計(jì)算機(jī)控制的XY工作臺(tái)，使其快速、方便和準(zhǔn)確地描繪樣品的厚度和光學(xué)特性圖。Thetametrisis膜厚儀利用FR-Mic，通過(guò)紫外/可見/近紅外可輕易對(duì)局部區(qū)域薄膜厚度，厚度映射，光學(xué)常數(shù)，反射率，折射率及消光系數(shù)進(jìn)行測(cè)量。Thetametrisis膜厚儀使用優(yōu)勢(shì)：1、實(shí)時(shí)光譜測(cè)量。2、薄膜厚度，光學(xué)特性，非均勻性...
單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級(jí)各個(gè)階層用戶，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)特征：1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/8英寸。2、臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面。3、敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工。4、分步...
Subnano3D干涉輪廓儀建立在移相干涉測(cè)量(PSI)、白光垂直掃描干涉測(cè)量(VSI)和單色光垂直掃描干涉測(cè)量(CSI)等技術(shù)的基礎(chǔ)上，以其納米級(jí)測(cè)量準(zhǔn)確度和重復(fù)性(穩(wěn)定性)定量地反映出被測(cè)件的表面粗糙度、表面輪廓、臺(tái)階高度、關(guān)鍵部位的尺寸及其形貌特征等。廣泛應(yīng)用于集成電路制造、MEMS、航空航天、精密加工、表面工程技術(shù)、材料、太陽(yáng)能電池技術(shù)等領(lǐng)域。Subnano3D干涉輪廓儀產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1、美國(guó)硅谷研發(fā)的核心技術(shù)和系統(tǒng)軟件。2、關(guān)鍵硬件采用美國(guó)、德國(guó)、日本等。3、PI納米移...
HerzTS主動(dòng)隔振臺(tái)介紹：在21世紀(jì)納米技術(shù)(即先進(jìn)的半導(dǎo)體代表相關(guān)的信息技術(shù)，基因療法等生命科學(xué)相關(guān)技術(shù)，原子或分子處理如MEMS和工程技術(shù)等新材料生產(chǎn))，振動(dòng)、噪聲、電磁領(lǐng)域、熱、濕度、干擾等是測(cè)量環(huán)境的抑制因素。在納米技術(shù)中，為了獲得可靠的結(jié)果，使用充氣被動(dòng)隔振臺(tái)無(wú)法隔離低頻振動(dòng)，此時(shí)需要主動(dòng)隔離。主動(dòng)式隔振系統(tǒng)“TS系列”將作為21世紀(jì)納米技術(shù)的隔振技術(shù)基礎(chǔ)。它將有助于發(fā)展目前的技術(shù)和測(cè)量、創(chuàng)新和發(fā)展未知的技術(shù)。HerzTS主動(dòng)隔振臺(tái)特點(diǎn)：1、在全部的6個(gè)自由度范圍...